晶體結構和性質3.1.3.1晶體的基本類型和性質（1）離子晶體1)晶格結點上的微粒：正、負離子。2)微粒間作用力：離子鍵即正、負離子之間的靜電引力。其作用力隨離子電荷的增多和半徑的減少而增強。3)晶體中不存在獨立的簡單分子。例如nacl晶體,表示na+:cl－=1:1。4)晶體的特性：熔點高、硬度大；延展性差；一般易溶於極性溶劑；熔融態或水溶液均易導電。 在相同類型的典型離子晶體中，離子的電荷越多，半徑越小，晶體的熔點越高，硬度越大。離子電荷與半徑的規律如下：（a）在同一周期中，自左而右隨著正離子電荷數的增多，離子半徑逐漸減少。如半徑：na＋﹥mg2＋;k＋﹥ca2＋﹥sc3＋ （b）同一元素，隨著正離子電荷數的增多，離子半經減少。如半徑: fe2+﹥fe3+(c)在同一族中，自上而下離子半經逐漸增大。如半徑: i－﹥br－﹥cl－﹥f－根據離子電荷與半徑的規律，可判斷離子鍵的強弱，從而可判斷離子晶體熔點和硬度的大小 例1：離子晶體正、負離子半徑和正、負離子電荷數熔點硬度naf2.30å＋1 ,－1993℃2.3cao2.31å＋2 ,－22614℃4.5例2：離子晶體正離子半徑正、負離子電荷數熔點硬度cao0.99 å＋2, ＋22614℃4.5mgo0.66 å＋2, ＋22852℃5.5～6.5（2）原子晶體.1)晶格結點上的微粒：原子。2)微粒間作用力：共價鍵。3)晶體中不存在獨立的簡單分子。例如方石英（sio2）晶體,表示si:o=1:2。4)晶體的特性：熔點高、硬度大；延展性差；一般溶劑中不溶；是電的絕緣體或半導體。常見的原子晶體有金剛石（c）和可作半導體材料的單晶矽（si）、鍺(ge)、砷化鎵(gaas)、以及碳化矽(sic)和方石英(sio2)。（3）分子晶體1)晶格結點上的微粒—：極性分子或非極性分子。2)微粒間作用力：分子間力（還有氫鍵）。在同類型的分子中，分子間力隨分子量的增大而增大。3)晶體中存在獨立的簡單分子。例如co2晶體, 結點上為co2分子。4)晶體的特性：熔點抵、硬度小(隨分子量的增大而增大)；延展性差；其溶解性遵循“相似者相溶”，極性分子易溶於水、冰醋酸等，非極性分子易溶於有機溶劑如碘、萘等，熔融態不導電。（4）金屬晶體 1)晶格結點上的微粒：原子或正離子。2)微粒間作用力：金屬鍵。3)晶體中不存在獨立的簡單分子。4)晶體的特性：是電和熱的良導體，熔點較高、硬度較大；優良的變形性和金屬光澤。