筆試分兩部分 第一部分為技術測試，第二部分為英語
第一部分（憑記憶寫吧：））
1.簡單c代碼，寫輸出結果
2.晶片導線延時問題，比如1000um 為50ps XXum為？
3.畫mos管結構圖 標出個部分區域如n ,n-,channel, substrate,poly-silicon etc
4.畫與非門電路和layout
5.兩個d觸發器和一級buffer組成同步電路給個若干時序數據比如 buffer延時，tsetup
t hold 算總延時
6，兩個管子串聯，vdd接上管g d 和下管g ，下管s接地 上管s和下管d相連作輸出vout求
vout
第二部分
寫一段英文，闡述你認為從項目中學習知識重要還是從書本學習重要？